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SK海力士宣布将批量生产新一代HBM2E，8个16Gb单芯片堆叠，使其存储容量达到16GB，与上一代相比，容量增大了一倍。HBM（High bandwidth memory）被视为新一代DRAM解决方案，主要是与GDDR展开竞争，在消费类市场，AMD RX Vega、NVIDIA Titan V等极少数产品应用了HBM2，专业市场AMD Radeon Instinct、NVIDIA Tesla的需求更大，但是成本是其普及的最大制约因素。
SK海力士新一代HBM2E基于1024数据I/O，每个引脚达3.6Gbps的速度性能，最高拥有460GB/s的传输带宽，相当于有1秒钟内具有传输124个FHD *** 级电影（3.7 GB）的能力。SK海力士采用TSV（硅通孔）技术，与现有封装方法相比，尺寸最多可减少30%，功耗最多可减少50%，同时也大大加快在数据上处理的速度。
SK海力士执行副总裁兼首席 *** 官Jong-hoon Oh表示：我们将领导第四次工业革命，并大规模生产HBM2E，从而巩固我们在高端存储器市场中的地位。除了SK海力士，三星在2019年发布新一代HBM2E，每个引脚提供3.2Gbps数据传输速度，比上一代HBM2快33%。2020年2月三星16GB容量的HBM2E“Flashbolt”成功进入市场，主要应用于高性能计算机系统、AI数据分析和最新的图形系统。在全球DRAM市场，三星、SK海力士、美光三家合计占据约95%的市场份额，三星、SK海力士纷纷投入HBM2E生产，美光也计划在2020年投入HBM技术的发展。
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